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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像?。冢睿稀∥⒔Y構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關，在30-106°C的溫度范圍內，介電常數隨溫度升高而增大；介電常數隨頻率升高而下降；電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。

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它具有電壓非線性系數a大，殘壓低，浪涌耐量大，使用電壓范圍寬（從幾伏到幾十萬伏），伏安特性陡峭且對稱，對脈沖響應時間快，而且無續流，漏電流小（uA），電壓隨溫度變化小等特有的優點。高能氧化鋅壓敏電阻器還具有低場強、高能容的特點。近年來的電力系統、電子線路中，吸收大氣過電壓和操作過電壓，在超導移能和發電機組滅磁、電器設備、半導體器件及各種電機過壓保護等方面具有廣泛的應用前景。

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