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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：

當施加交流電壓一定時間后，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發生對稱變化，除了特性曲線的變化是對稱的特點外，改變的趨勢與施加直流電壓的趨勢相近。試驗時所施加的交流電壓梯度為65V/mm，溫度為70℃。試驗還表明，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗后壓敏電阻U-I 特性在預擊穿區（即低電場區域）的變化程度要比擊穿區即（中電場區域）大得多。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯或并聯時C值的變化如下：

a）串聯時電流不變，電壓增大n倍，這時C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯時電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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