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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側為正極性，電壓主要加在右側的耗盡層上，使右側的Zni向晶界遷移，而左側所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側，使左側Zni向晶界遷移，右側這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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壓敏電阻器在電路的過電壓防護中，如果正常工作在預擊穿區(qū)和擊穿區(qū)，理論上是不會損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態(tài)過電壓、超能量過電壓隨機的不斷沖擊及吸收電路儲能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會損壞的它的壽命根據(jù)所在電路經(jīng)受的過電壓幅值和能量的不同而不同。

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      限制電壓比

      限制電壓比是指在通流能力實驗中通過特定電流時加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現(xiàn)了壓敏電阻器在大電流通過時的非線性特性，限制電壓比越小，越能起到保護電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞，即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流，限制電壓比越小，分流作用就越明顯，保護特性就越好。

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