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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側為正極性，電壓主要加在右側的耗盡層上，使右側的Zni向晶界遷移，而左側所加電壓很低，Zn

i向晶粒內遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側，使左側Zni向晶界遷移，右側這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。

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zno壓敏電阻是半導體電子陶瓷器件，主要功能是 識別和限制瞬態過電壓，反復使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線性的，與穩壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過電壓在兩個極性上 相等，于是呈現的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象兩個背對背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導體工業和電力工業都有應用。 ＺｎＯ　壓敏電阻是用半導體　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等經過混合、壓型和燒 結工藝而制成。得到的產品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　壓敏電阻的基本特性包括電學特性、物理特性和 化學特性。微觀結構是體現這些性質的媒介，是　ＺｎＯ　壓敏 電阻的基礎。

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