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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！

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低電場區域的漏電流

漏電流包括阻性和容性兩部分，交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大，阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數在-10-4/℃—-10-3/℃之間，計算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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壓敏電阻直流作用下的老化機理

直流作用下。反偏壓側的Zni向晶界遷移，中和了部分VZn，使表面受主態密度下降，勢壘降低，阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱，是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致，電壓主要加在正極性側的耗盡層上，而這一側可遷移的填隙鋅離子已不多；如極性相反，則電壓主要加在另一側的耗盡層上，而這側有大量的填隙鋅離子，所以阻性電流大。

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