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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結構分析發現，形成的四個主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用，而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現出在電性上絕 緣的三維網絡。 燒結形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學計量　ｎ　型半導 體。進入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態。相關的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關，在30-106°C的溫度范圍內，介電常數隨溫度升高而增大；介電常數隨頻率升高而下降；電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。

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氧化鋅壓敏電阻器的使用方法：壓敏電阻器是一種無極性過電壓保護元件，無論是交流還是直流電路，只需將壓敏電阻器與被保護電器設備或元器件并聯即可達到保護設備的目的

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